近化學(xué)計(jì)量比 摻鎂鈮酸鋰晶體（SLN/MgSLN）

近化學(xué)計(jì)量比 摻鎂鈮酸鋰晶體（SLN/MgSLN）

低吸收、高損傷閾值、低缺陷！

所屬類別：晶體 ? 鈮酸鋰晶體

近化學(xué)計(jì)量比 摻鎂鈮酸鋰晶體（SLN/MgSLN）

相比于同種成分的晶體來說，化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的電光系數(shù)、非線性光學(xué)系數(shù)、周期極化反轉(zhuǎn)電壓、應(yīng)用光折變等方面的性能均出現(xiàn)大幅度的提高。如此優(yōu)異的物理性能，加之十分廣泛的應(yīng)用前景，使得近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體迅速成為國(guó)際上競(jìng)相追逐的光電子材料。

優(yōu)點(diǎn)：

• 低嬌頑磁場(chǎng)-適用于高精度、高速相位匹配過程；

• 高熱導(dǎo)率（高于CLN/MgCLN20%-50%）；

• 高光折變損傷閾值。

典型應(yīng)用：

• 周期性極化器件

• THz  器件

相比于同種成分的晶體來說，化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的電光系數(shù)、非線性光學(xué)系數(shù)、周期極化反轉(zhuǎn)電壓、應(yīng)用光折變等方面的性能均出現(xiàn)大幅度的提高。如此優(yōu)異的物理性能，加之十分廣泛的應(yīng)用前景，使得近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體迅速成為國(guó)際上競(jìng)相追逐的光電子材料。

優(yōu)點(diǎn)：

• 低嬌頑磁場(chǎng)-適用于高精度、高速相位匹配過程；

• 高熱導(dǎo)率（高于CLN/MgCLN20%-50%）；

• 高光折變損傷閾值。

典型應(yīng)用：

• 周期性極化器件

• THz  器件

相比于同種成分的晶體來說，化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體的電光系數(shù)、非線性光學(xué)系數(shù)、周期極化反轉(zhuǎn)電壓、應(yīng)用光折變等方面的性能均出現(xiàn)大幅度的提高。如此優(yōu)異的物理性能，加之十分廣泛的應(yīng)用前景，使得近化學(xué)計(jì)量比鈮酸鋰晶體迅速成為國(guó)際上競(jìng)相追逐的光電子材料。

優(yōu)點(diǎn)：

• 低嬌頑磁場(chǎng)-適用于高精度、高速相位匹配過程；

• 高熱導(dǎo)率（高于CLN/MgCLN20%-50%）；

• 高光折變損傷閾值。

典型應(yīng)用：

• 周期性極化器件

• THz  器件